基本信息 |
开放实验室名称 |
表面物理国家重点实验室 |
类型 |
国家重点实验室 |
认定部门 |
国家计划委员会 |
认定时间 |
1987年 |
依托单位 |
中科院半导体研究所 |
所属功能平台 |
新材料技术支撑平台 |
所属领域 |
新材料 |
负责人 |
郭建东 |
服务特色 |
表面物理国家重点实验室半导体所区着重于通过实验与理论的密切结合,开展与信息科学、纳米科学和能源科学有直接联系的表面/界面研究。 |
科研队伍和骨干专家 |
目前有26名成员,包括8位研究员、12位副研究员。现有研究生和博士后20余人。
郭建东,男,1972年生,1996年中国科技大学物理系毕业,2001年中科院物理所博士毕业。2001年到2005年在美国田纳西大学及橡树岭国家实验室工作。现为中科院物理所**计划研究员。主要研究方向:主要利用分子束外延和扫描隧道显微镜等手段,研究1、金属/半导体界面低维体系的生长机理及其不稳定性;2、复杂过渡金属氧化物薄膜的生长及其在原子尺度上的强关联性质。主要工作成果:1、系统研究了In/Si(111)界面在低温下的4x1--8x2相变,尤其是在相变点附近的动力学行为,发现了微观尺度上结构相变和电子学相变的分离以及新纳米相的存在。2、发现了Pb/Ge(111)界面在低温下的无序相变,指出了金属/半导体界面性质与强关联电子体系理论的联系。3、在Cu(111)邻近表面上生长出单原子的Fe量子线,指出了利用台阶阵列作为模版获得均匀全同量子线的可行性。 |
科研成果 |
实验室五年来发表文章约200篇,申请专利20项,在表面物理相关学科的一些领域取得了重要进展。研究工作得到了国内外学界的一致认可。 |
代表仪器设备 |
名称 | 等离子刻蚀系统 | 原值(万元) | 340.00 | 厂商及型号 | AX5250S | 主要性能参数 | 基片尺寸:4"; 最大深宽比:15:1; 均匀性:5% | 功能用途 | 用于硅刻蚀 |
|
专业服务机构名称 |
北京科岳中科科技服务有限公司 |
负责人 |
|
联系人 |
张利军、孟月娟 |
电话 |
18611890039 |
邮箱 |
zhanglj@cashq.ac.cn |
邮编 |
100086 |
地址 |
北京海淀中关村保福寺桥100号 |