| 基本信息 |
开放实验室名称 |
北京市集成电路先导工艺工程技术研究中心 |
| 类型 |
北京市工程技术研究中心 |
| 认定部门 |
北京市科学技术委员会 |
认定时间 |
2011年 |
| 依托单位 |
中科院微电子研究所 |
| 所属功能平台 |
高性能集成电路（IC）技术支撑平台 |
| 所属领域 |
电子信息 |
| 负责人 |
陈大鹏 |
| 服务特色 |
北京市集成电路先导工艺工程技术研究中心，具有全套的CMOS/MEMS研发工艺，技术优势和人力优势集中体现在纳米器件的研发，从新材料，新结构，新工艺出发，建立了0.5微米多晶硅CMOS以及0.5微米HKMG CMOS工艺标准，尤其是建立了22纳米HKMG CMOS的IP库。中心对外开展各种研发服务，尤其体现在特种器件，特种工艺的研发；另外，中心还具有各种前沿精准的量测仪器，涵盖材料的表面表征，材料的成分分析，器件的结构分析，各种介质层的剖面分析等各个方面。 |
| 科研队伍和骨干专家 |
北京市集成电路先导工艺研发中心依托国家科技重大专项引进了具有丰富产业经验和杰出创新能力的海外高级人才，同时结合微电子所原有研发团队，组成了一支国际水平的集成电路技术先导研发队伍。目前在职员工共计112人，其中中组部**计划4人，中科院**计划5人，硕、博士人员占总人数比例58%。累计培养研究生68名，其中博士10名，硕士48名，联合培养10名。
朱慧珑，博士，博士生导师和研究员，集成电路先导工艺研发中心首席科学家，国家重大专项02专项项目首席专家，中组部2009年第一批“**计划”入选者，主要从事纳米器件关键工艺技术先导研究。
赵超，博士，博士生导师和研究员，集成电路先导工艺研发中心主任，国家重大专项02专项项目副首席专家，中组部 “**计划”入选者，主要从事先导工艺关键模块研究与先导工艺平台建设。 |
| 科研成果 |
“集成电路先导工艺工程技术研究中心”推行IP指导下的R&D和专利“走出去”的战略，在研
发过程中，进行有计划、有步骤地自主知识产权的开发，为中国IC工业增加赢利空间和话语权。针对22纳米相关的关键技术，中心已申请专利675项，美国专利申请238项。其中的230多项关键技术专利已经过技术用户中芯国际的评估，并有多项专利将在近期在实际生产技术中应用。这些专利将形成对我国集成电路制造产业在22纳米技术代的知识产权保护，捍卫我国产业界与知识产权有关的经济利益。
主要成果举例：
名称：面向22纳米及以下技术代的CMOS 器件集成技术研究
简介：在22纳米技术代CMOS器件集成技术研究中，实现了双高K介质/双金属栅器件集成，优化
了器件性能；提出并实现了一种体硅三栅FinFET新结构器件，进一步有效降低成本，促进产业化进程；同时开展面向15纳米及以下技术代体硅纳米线环栅N/PMOS器件的研究。
应用领域：极大规模集成电路制造
专利情况：共发表论文10篇，其中SCI收录6篇，EI 收录3篇。 发明专利授权4项，其中美国
发明专利授权1项；受理45项，其中美国受理12项。 |
| 代表仪器设备 |
名称 | 电子束曝光机 | 原值（万元） | 1200 | 厂商及型号 | NBL NB5 | 主要性能参数 | 线条宽度：≤20nm， 线条长度：≥250mm， 线宽均匀性：<15％ 光刻胶厚度：≥ 50 nm , 拼场/套刻精度：线条宽度：≤100nm，线条长度：≥1mm | 功能用途 | 用于小尺寸器件的曝光工艺 |
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| 专业服务机构名称 |
北京科岳中科科技服务有限公司 |
| 负责人 |
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联系人 |
张利军、孟月娟 |
电话 |
18611890039 |
| 邮箱 |
zhanglj@cashq.ac.cn |
邮编 |
100086 |
| 地址 |
北京海淀中关村保福寺桥100号 |
