| 基本信息 | 开放实验室名称 | 射频芯片及模块研发实验室 |
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| 类型 | 北京市重点实验室 |
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| 认定部门 | 北京市科学技术委员会 | 认定时间 | 2011年 |
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| 依托单位 | 中国科学院微电子研究所 |
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| 所属功能平台 | 物联网产业技术支撑平台；高性能集成电路（IC）技术支撑平台 |
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| 所属领域 | 电子信息 |
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| 负责人 | |
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| 服务特色 | 实验室从事射频/微波集成电路及相关模块研究。实验室依据新一代移动通信、短距离无线通信、卫星通信及物联网等领域对射频技术的需求，与系统研制单位密切配合，开发出多款具有自主知识产权的 RFIC和MMIC，部分芯片和模块成果在国家工程中获得应用。实验室具有十多年微波和射频IC技术积累，电路设计基于国内外Foundry的各类RFIC和MMIC工艺，包括40nm、65nm、0.13µm、0.18µm、0.35µm Si CMOS；0.13µm、0.18µm、0.35µm SiGe BiCMOS；0.15µm、0.25µm、0.5µm GaAs pHEMT；GaAs HBT。实验室建立了内容丰富的射频模拟IP库，内容涵盖LNA，PA, Mixer, PLL, FDLL, LPF, VGA,LDO,ADC,DAC等电路单元和各类标准的Transceiver。此外，实验室还拥有功能丰富的射频模拟电路测试环境。 |
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| 科研队伍和骨干专家 | 实验室有在职科研与专业技术人员30余人，研究生40余人。
骨干专家：张海英，工学博士，研究员，博士生导师，中国电子学会高级会员，国家无线通讯个域网标准组成员，EDL审稿专家，中科院微电子研究所射频集成电路研究室主任。主要研究方向为射频集成电路设计、微波单片集成电路研制、毫米波器件和微波模块研制工作。
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| 科研成果 | 1、多模多频硅基射频芯片设计和模块研制 。开展了GSM、TD-SCDMA、WCDMA、TD-LTE、IMT-Advanced多模多频移动通信射频芯片和模块的研发，多款射频芯片和模块在系统中与基带联调成功。 2、GaAS微波单片集成电路设计与模块开发 。设计成功多款MMIC，工作频率覆盖1GHz到60GHz，包括GaAs功率放大器、低噪声放大器、混频器、微波开关、压控振荡器。 26～40GHz低噪声放大器芯片通过国家标准所检测，PA模块实现了产业化。基于自主芯片的60GHz射频前端模块，成功实现与系统的连调并完成了数据传输试验。 3、射频/模拟集成电路IP库建设。已形成的CMOS射频IP库涵盖了各类通信系统收发机前端芯片，包括PA，LNA，Mixer，PLL，VGA，LPF等功能电路和CMOS接收/发射机SoC IP硬核。涉及工艺包括65nm、0.13µm、0.18µm、0.35µm Si RFCMOS；0.13µm、0.18µm、0.35µm SiGe BiCMOS。 |
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| 代表仪器设备 | 名称1： | PXA信号分析仪 | 原值（万元） |
| 厂商及型号： | Agilent N9030A | 主要性能参数： | 频率范围：3Hz-26.5GHz；无杂散动态范围75dB；可选分析带宽140MHz；幅度精度±0.19dB；显示的平均噪声电平（DANL）-172dBm；三阶动态范围21dBm。 | 功能用途： | 信号分析 |
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| 专业服务机构名称 | 北京科岳中科科技服务有限公司 |
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| 负责人 | 郭庆山 | 联系人 | 崔洪梅 | 电话 | 82628024 |
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| 邮箱 | cuihongmei@nctt.ac.cn | 邮编 | 100086 |
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| 地址 | 北京海淀中关村保福寺桥100号 |
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