原值（万元）

1085.50

厂商及型号

Vistec EBPG 5000+ES

主要性能

参数

图形发生器频率：25   MHz 

束斑位置稳定性：<   50 nm/h

束流稳定性：<±0.5%/h

主场稳定性：<   40 nm (400 μm 主场)

场畸变：<±15   nm(400 μm 主场)

分辨率：<8nm线宽   (@100kV)                                       <±3 nm  (100 μm 场内10nm线宽变化@100kV)  

±3 nm  (250   μm 场内15nm线宽变化@100kV)

场拼接精度：

±15nm   (100 μm 主场@100kV)                                                          ±20nm (250μm主场@100kV)                                                          ±25nm (400μm主场@100kV)

套刻精度：

±15nm   (100 μm主场@100kV)                                                     ±20nm (250μm主场@100kV)                                                     ±25nm (400μm主场@100kV)

直写精度：

±15nm   (100μm主场@100kV)                                                          ±20nm (250 μm主场@100kV)                                                          ±25nm (400μm主场@100kV)

功能用途

各种碎片、50 mm及100 mm基片微纳米图案的直写，最小线宽<10   nm；

各种光学光刻模板的制备

原值（万元）

237

厂商及型号

SENTECH PTSA ICP-RIE ETCHER SI 500

主要性能

参数

载片：4寸及4寸以下；

气体：Cl₂、BCl₃、HBr、CHF₃、SF₆、Ar、O₂、N₂   ；

ICP等离子源：0-1200W；

RF偏置电源：0-600W；

温控：氦气背冷，-30℃-200℃。

功能用途

纳米硅、金属材料、金属氧化物薄膜、有机聚合物薄膜的刻蚀。

原值（万元）

263.0

厂商及型号

SENTECH SI 500 D

主要性能

参数

适用基片尺寸4英寸整片和小碎片；温度范围RT-300℃；电源   RF和ICP；反应气体：SiH4   5% Ar 95% ，NH3 ，CF4   ，Ar，O2，N2；制备材料：SiO2、Si3N4、非晶Si；系统极限真空1E-5pA；膜厚均匀性<±3%；

功能用途

制备介质层薄膜。